MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique 100 V dans TO-220AB

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La quantité minimum pour "MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique 100 V dans TO-220AB" est 3.

  • Conforme à RoHS
  • Bas RDS (activé)
  • Une qualité inégalée dans l'industrie
  • Notation dynamique dv / dt
  • Changement rapide
  • Entièrement classé pour les avalanches
  • 175 ° C Température de fonctionnement
  • P- Canal MOSFET

    Prix budgétaire € / 1k < td> 0,41
    I D (@ 25 ° C) max -23.0 A
    Montage THT
    P tot  max 140.0 W
    Package TO-220 < / tr>
    Polarité P
    Q G (typ @ 10V) 64,7 nC
    Q gd 34,0 nC
    R DS (allumé) (@ 10V) max 117,0 m < tr> R thJC max 1,1 K / W
    T max < /strong>175.0 ° C
    V DS Â max td> -100.0V
    V GS (th)  min  max -3,0V -2,0 V - -4,0 V
    V GS Â max 20.0 V

    Datasheet (datasheet.pdf, 134 Kb) [Télécharger]

    MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique 100 V dans TO-220AB 92361

    MOSFET de puissance HEXFET à canal P unique 100 V dans TO-220AB

    Prezzo: €1,00