MOSFET de potencia HEXFET de canal P único de 100 V en TO-220AB
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- Cumple con RoHS
- Bajo RDS (activado)
- Calidad líder en la industria
- Clasificación dinámica de dv / dt
- Cambio rápido
- Clasificación completa de avalanchas
- 175 ° C Temperatura de funcionamiento
- P- Channel MOSFET
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| Precio presupuestario ⬠/ 1k | < td> 0.41Â|
| I D (@ 25Â ° C) Â max | -23.0Â A |
| Montaje | THT |
| P tot  max | 140.0 W |
| Paquete | TO-220 | < / tr>
| Polaridad | P |
| Q G (typ @ 10V) | 64.7 nC |
| Q gd | 34.0Â nC |
| R DS (activado) (@ 10V) Â max | 117.0Â mâ ¦ | R thJC Â max | 1.1Â K / W |
| T | 175.0Â ° C |
| V DS Â max | -100.0V |
| V GS (th)  min  max | -3.0V -2.0 V  -4.0 V |
| V GS Â max | 20.0Â V |
