Mosfet PSMN8R2-80YS - 80V 82A p>
Montageart: SMD / SMT < stark> Packung mit 5 Stück strong> p> p>
Verpackung / Gehäuse: LFPAK56-5 < br /> Anzahl der Kanäle: 1
Polarität des Transistors: N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 80 V
Id - kontinuierlicher Drain-Strom: 82 A
Rds On - Drain-Source-Einschaltwiderstand: 13,4 mOhm
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 10 V
Qg - Gate-Ladung: 55 nC
Minimale Arbeitstemperatur: - 55 C
Maximale Arbeitstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 130 W span> p>