Transistor NPN FZT851A
NOS100511
Transistor NPN FZT851A Assemblage: SMD / SMT
Emballage: SOT-223-4
Polarité du transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur VCEO Max: 60 V
Tension base-collecteur VCBO: 150 V
Tension base-émetteur VEBO: 7 V
Tension de saturation du collecteur émetteur: 375 mV
courant collecteur maximal: 20 A
gain / largeur de bande du produit fT: 130 MHz
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