Mosfet IRFR9014-TR - Paquete de 5 piezas
NOS160046
MOSFET P-CH - MOSFET HEXFET 60V D-PAK
Estilo de montaje: SMD / SMT
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Paquete / sobre: ??TO -252-3
Polaridad del transistor: Canal P
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 60 V
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Id - corriente continua de drenaje: 5.1 A
Rds On - Fuente de drenaje en la resistencia: 500 mOhms
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Vgs th - Voltaje umbral de fuente de puerta: 2 V
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Vgs - Voltaje de fuente de la puerta: 10 V
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Qg - Carga de la puerta: 12 nC
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Temperatura mínima de trabajo: - 55 C
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Temperatura máxima de trabajo: + 150 C
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Pd - Disipación de potencia: 25 W
< strong> Pack 5 piezas
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