SPP08N50C3 MOSFET

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SKU: 91060
Quantity: 66

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Description

Categoria Dispositivi a semiconduttore discreti
Tipo di montaggio Foro passante
Tipo di FET MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss) 560V
Corrente - Drain continuo (Id) 7,6A
Rds On (max) - Id, Vgs 600 mOhm a 4,6A, 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds 750pF a 25V
Potenza max 83W
Imballaggio Nastrati in bobina (nib)
Carica di gate (Qg) - Vgs 32nC a 10V
Contenitore / involucro TO-220AB
Esenzione da piombo Lead Free
Rispetto della direttiva RoHS RoHS Compliant
Altri Nomi SPP08N50C3
SPP08N50C3
SPP08N50C3IN ND
SPP08N50C3INND
SPP08N50C3IN